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技術文章
TECHNICAL ARTICLES碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結構均由Si-C四面體以不同的堆積方式構成。目前已發現的碳化硅同質異型晶體結構有200多種，其中六方結構的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優良半導體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術成熟的第三代半導體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場強度是硅材料近1...
20世紀90年代初興起了一種新的靶材燒結方法-常壓燒結法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對ITO靶材的素坯進行燒結，通過對燒結過程中各因素的控制，來有效控制ITO素坯晶粒的生長，從而達到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對粉末的燒結活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價值也越高。國外可以做寬1200毫米、長近3000毫米的單塊靶材，國內只能制造不超過800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術方案中，將粒...
等離子增強化學氣相沉積爐（PECVD）技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。一般說來，采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發生初級反應，使得反應氣體發生分解，形成離子和活性基團的混合物；其二，各種活性基團向薄膜生長...
ITO(氧化銦錫)是制備ITO導電玻璃的重要原料。ITO靶材經濺射后可在玻璃上形成透明ITO導電薄膜，其性能是決定導電玻璃產品質量、生產效率、成品率的關鍵因素。ITO靶材性能的重要指標是成分、相結構和密度，ITO濺射靶材的成分為In2O3+SnO2，氧化銦與氧化錫成分配比通常為90:10(質量比)，在ITO靶材的生產過程中必須嚴格控制化學氧含量及雜質含量，以確保靶材純度。ITO靶材制備流程ITO靶材的成型工藝制備出成分均勻、致密度較高的初坯，對經過低溫熱脫脂和燒結后工藝處理得...
氧化銦錫(ITO)晶體結構氧化銦錫(ITO)是通過用錫摻雜In2O3而形成的n型半導體，晶體結構是In2O3結構，其中In2O3結構具有兩種形態，一種是立方鐵錳礦結構，另一種是六方剛玉結構。立方鐵錳礦結構是常見的In2O3結構，如圖1所示。當將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時，一種高度簡并的n型半導體得以產生，其中一定數量的In3+位置被Sn4+取代了，導致ITO晶格中出現大量點缺陷，同時產生大量自由電子，點缺陷和自由電子可充當電場下的載流子，因此表現出了優異的導電...
真空燒結爐是一款特別適合硬質合金行業的性能智能化電爐。該燒結爐是一種間歇式氣體（真空）保護爐，按照燒結工藝時間的需要可以單套電源配置多臺電爐，分別對單個爐子進行通電升溫和段電降溫，實現連續工作。那么該設備在日常中應該如何檢修？出現故障后又應該如何進行有效的處理？下面請跟隨皓越一起來學習吧！真空燒結爐的日常檢修：1、對有氣鎮功能的其空泵，應在每日開爐前檢查并根據需耍開啟30min，以排除泵油中的水分。2、經常檢查冷卻水、壓縮空氣、液壓系統的壓力以及冷卻水的流動情況。3、對爐門的...
透明導電氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）是一種在可見光光譜范圍（380nm＜λ＜780nm）透過率很高且電阻率較低的薄膜材料，由于其良好的光電性能在節能玻璃、熱窗、電磁屏蔽窗、觸摸屏、液晶面板、太陽能電池、發光二極管等領域，被作為智能窗口材料、加熱導體、電磁屏蔽材料、薄膜電容材料、透明導電電極等而得到廣泛的應用。TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相應的復合多元化合物半導體材料。電子工業的飛速發展對透明導電...
真空燒結爐是一種瓷坯在真空條件下燒結的方法，氧化物陶瓷坯體的氣孔中含有的水蒸氣、氫、氧等氣體在燒結過程中借溶解、擴散沿著坯體晶界或通過晶粒可從氣孔中逸出。但其中的一氧化碳、二氧化碳，特別是氮，由于溶解度較低，不易從氣孔中逸出，致使制品內含有氣孔，致密度下降。如將坯體在真空條件下燒結，則所有氣體在坯體尚未*燒結前就會從氣孔中逸出，使制品不含氣孔，從而提高制品的致密度。在高溫和一定的真空度下，使具有一定形狀的陶瓷坯體經物理化學過程變為致密、堅硬、體積穩定、具有一定性能的燒結體。物...
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